澜起科技主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。公司目前的核心业务内存接口芯片，是在CPU与内存之间，搭建一条数据交换的“高速公路”，以提高内存数据读写带宽，改善服务器性能。

澜起科技的真正崛起，得力于公司发明的“1+9”分布式缓冲内存子系统框架，突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计，被JEDEC采纳为国际标准，成为DDR4LRDIMM的标准设计，不仅凸显了公司的技术水平及创新能力，也提升了我国在相关领域的国际话语权。

近年业绩情况：

2019年收入结构：内存接口芯片99%（降1.5%）、服务器CPU1%（增86%）；海外收入85%。

中电投持有公司14%股权，为第一大股东。Intel Capital持有9%股权，为第二大股东。创始人杨崇和仅持有2%股权，公司总体股权持股分散，没有实际控制人。

杨崇和，1957年出生，美国国籍，美国俄勒岗州立大学电子与计算机工程学硕士及博士，澜起科技有限公司董事长兼CEO，被称为是大陆芯片设计“第一人”，并于2010年当选美国电气与电子工程师学会院士（IEEE Fellow）。

从硅谷到上海，从笑话到钦羡，看澜起CEO杨崇和两次创业的舍与得 - 与非网 (eefocus.com)

杨崇和(HowardC.Yang)博士是澜起科技的创始人之一，美国国籍，自公司成立起即任董事长兼首席执行官。2001年至2004年，杨博士曾任美国IntegratedDeviceTechnology公司（简称IDT，一家集成电路设计公司）的副总裁。1997年，杨博士与同仁在共同创建了新涛科技----中国首家硅谷模式的集成电路设计公司。该公司于2001年与IDT公司成功合并，被《中国并购报告》列为当年中国十大并购案之一。在创立新涛科技之前，杨博士先后在硅谷的美国国家半导体公司、晶技公司、百利通半导体公司以及中国的上海贝岭公司担任要职。杨博士2010年成为美国电气和电子工程师协会院士(IEEEFellow)，并入选中央“千人计划”。此外，杨博士还荣获多种奖项，其中包括“IEEE产业先驱奖”和上海市政府授予的“白玉兰荣誉奖”。杨博士毕业于美国俄勒岗州立大学，获电子工程学硕士及博士学位。

公司总经理 Stephen Kuong-Io Tai 先生曾参与创建 Marvell 科技集团并就 任该公司的工程研发总监，拥有逾 25 年的半导体架构、设计和工程管理经验。公司核心技术人员、 研发部负责人常仲元博士曾在 IEEE 学术期刊和国际会议上发表了论文逾 20 篇，其中 3 篇发 表于 ISSCC 会议，并作为第一作者出版了《Low Noise Wideband Amplifiers in Bipolar and CMOS Technology》。公司在 JEDEC 组织中的三个委员会及分会中安排员工担任主席职位，成为细分领 域国际行业标准制定的深入参与者。 

公司核心团队多毕业于国内外著名高校，在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰 富的阅历和实战经验。公司自成立以来就十分注重人才的培养和创新，目前已培养了数百名在高 速、低功耗和数模混合电路设计领域的专业技术人才。公司员工中约 64%为研发技术类工程师， 且研发技术人员中 50%以上拥有硕士及以上学位，为公司持续的产品创新提供了重要的人才基础。 

Wang Rui 现任英特尔公司高级副总裁、英特尔中国区董事长，全权领导英特尔中国区的所有业务和团队。曾在美国铿腾电子科技有限公司（Cadence） 和AMD半导体公司工作；1994至今，历任英特尔平台工程事业部副总裁兼混合信号IP 解决方案事业部总经理、英特尔技术支持事业部 （TEG）总经理、英特尔公司副总裁、市场营销集团中国区总经理等职务。2024年1月起任澜起科技董事。 

 李荣信 曾任上海贝岭产品工程经理，英特尔（中国）有限公司FPG上海总监，华虹国际（管理）有限公司副总裁，上海华虹集成电路有限公司 总经理，华大半导体有限公司董事、副总经理，上海佑磁信息科技有限公司总经理。2018年10月起任澜起科技董事。

山岗 曾任中兴通讯上海研究一所、新涛科技工程师，IDT-新涛科技设计经理。2005年8月加入澜起科技，历任设计总监、应用总监、市场副 总裁。2015年12月起任澜起科技市场应用技术部负责人。 

常仲元 曾任Alcatel Bell Belgium 高级 IC 设计工程师；新涛科技，IDT副总裁，上海贝岭首席技术官。2013年7月起任澜起科技研发部负责人。 

史纲 曾任上海先进半导体公司质量工程师及质量部经理，新涛科技营运副总经理，IDT-新涛科技营运副总经理，上海新进半导体制造有限公 司营运副总裁、第一产品事业群总经理，Diodes Inc分立器件事业群保护类产品事业部总经理兼分立器件事业群中国市场总监。2017年8 月起任澜起科技运营部负责人。

发行人为最大程度优化自身产能资源配置，同时考虑经济性原则，采取 Fabless 模式，将芯片生产及封测等工序交给外协厂商负责，并与外协加工厂商 建立了稳定、良好的协作关系。

晶圆制造、封装测试均为资本及技术密集型产业，因此相关行业集中 度较高，是行业普遍现象。报告期内，公司晶圆代工主要委托富士通电子和台积 电进行，公司封装测试主要委托星科金朋和矽品科技进行，供应商集中度较高。 如果上述供应商发生不可抗力的突发事件，或因集成电路市场需求旺盛出现产能 紧张等因素，晶圆代工和封装测试产能可能无法满足需求，将对公司经营业绩产 生一定的不利影响。

澜起科技为“中国唯一打入国际主流服务器”领域的核心芯片供应商。一位芯片领域资深投资家对上证报记者表示，澜起科技确实是不可多得的优秀科创企业，它不仅是细分领域全球领先者，还是国际标准的制定者之一。

这是一个技术门槛极高的细分行业。据了解，目前，全球范围内从事研发并量产服务器内存接口芯片的主要厂家是澜起科技、瑞萨电子（IDT）和Rambus，其中澜起科技和IDT又具有比较明显的优势，全球市场占有率均接近50%。招股书解释，由于下游DRAM市场的集中度特别高，三星、海力士、美光等三强占据了超过90%的市场份额，通过覆盖这些超级客户，澜起科技实现了高市场占有率。

经过 10 多年的发展和积淀，公司已成为国际知名的芯片设计公司，目前公司核心产品内存接 口芯片广泛应用于各类服务器，终端客户涵盖众多知名的国内外互联网企业及服务器厂商，在全 球内存接口芯片领域的竞争中处于领先地位，实现国内自主研发产品在该领域的突破。公司成立 至今获得了多项荣誉，形成了独特的品牌优势。2016 年 6 月，中国电子学会认定公司“低功耗 DDR 系列内存缓冲控制器芯片设计技术整体技术达到国际领先水平”；同年 12 月，该项技术及产业化项目荣获“中国电子学会科学技术奖一等奖”；2017 年，公司荣获三星电子颁发的“最佳供应商奖”； 2018年，公司产品“第二代DDR4 内存缓冲控制器芯片”荣获“‘中国芯’年度重大创新突破产品”奖； 2018 年 11 月，津逮®服务器 CPU 及其平台采用的“动态安全监控技术”获评第五届世界互联网大 会“世界互联网领先科技成果”；2019 年 5 月，公司“高性能 DDR 内存缓冲控制器芯片设计技术” 项目荣获上海市人民政府颁发的“上海市技术发明一等奖”。这一系列荣誉的获得，充分显示出市 场对于公司品牌的认可。 

技术实力方面，澜起处于国际领先水平。公司发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被JEDEC国际标准采纳。该架构在DDR5世代演化为“1+10”框架，继续作为LRDIMM的国际标准，并进一步作为基础架构衍生出MRDIMM国际标准。在DDR5世代，公司在内存接口芯片领域继续全球领跑，进一步巩固了在该领域的优势。2021年10月，公司量产DDR5第一子代内存模组芯片及内存模组配套芯片；2022年5月，公司在业界率先试产DDR5第二子代RCD芯片；2023年10月，公司DDR5第三子代RCD芯片在业界率先试产；2024年1月，公司推出支持7200MT/s速率的DDR5第四子代RCD芯片；目前公司正在研发DDR5第五子代RCD芯片。
　　市场份额方面，澜起在DDR4世代逐步确立了行业领先优势，是全球可提供DDR4内存接口芯片的三家主要厂商之一，占据全球市场的重要份额。在DDR5世代，公司继续领跑，内存接口芯片的市场份额保持稳定。公司可为DDR5系列内存模组提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案，是目前全球可提供全套解决方案的两家公司之一。