翻石头 - 拓荆科技评估

拓荆科技(688072)

最新的估值

每股价值： 0.00元，当前股价：645.18元，股价高估：0.00%

估值结论：行业，企业，价格

建议策略：

当年每股自由现金流元，护城河宽度，预计快速增长年，快速增长率%，永久增长率% 说明

时间: 复权: 现金流:

研究报告
讨论区

研究最新的研究贡献人：石头哥

行业：
集成电路 n

产品：
芯片设备

属地：
沈阳

石头哥 2024年01月04日 22:17 回复(1)

研究

1、主营产品（主营产品有哪些/各自占比/产品优势/经营时间/专注程度）

拓荆科技股份有限公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司主要产品为半导体薄膜沉积设备包括PECVD设备、ALD设备及SACVD设备三个系列。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，以前后两任董事长为核心的五名国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队，形成了三大类半导体薄膜设备产品系列，先后四次承担国家重大科技专项/课题，被中国半导体行业协会评为2016年度、2017年度、2019年度“中国半导体设备五强企业”。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”，中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证，2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号，2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”，中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。

石头哥 2023年03月12日 10:51 回复(1)

2、管理团队（创始人/高管团队/激励机制/企业文化）

拓荆科技暂无控股股东和实际控制人,国家集成电路基金持股比例为19.86%,国投上海持股比例为13.68%,中微公司持股比例为8.4%,为公司前三大股东。

吕光泉，1965年出生，美国国籍，美国加州大学圣地亚哥分校博士。现任拓荆科技董事长。1994年8月至2014年8月，先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部，历任副研究员、工程技术副总裁等职。2014年9月至今就职于公司，曾任技术总监、总经理、董事，现任拓荆科技公司董事长。成功领导研发团队完成“1x nm3D NAND PECVD研发及产业化”国家重大科技专项，领导团队研发“国家科技重大专项课题A（ALD相关）”、“国家集成电路装备项目A（介质薄膜先进工艺相关）”等国家重大科技项目/课题，成功领导完成ALD、SACVD设备研发并产业化应用。

公司背景（一句话）

成立：2010 年 4 月，由姜谦、吕光泉联合中科院沈阳科仪、沈阳市政府发起，国家 “02 专项” 核心承载单位。
赛道：半导体前道薄膜沉积（CVD），产品 PECVD/ALD/SACVD，对标应用材料、诺发。
地位：国产 CVD 龙头，12 寸设备市占国内第一，进入中芯 / 长存 / 长鑫 / 华虹。

四、核心团队特点

海归派：核心高管多为前诺发 / 应用材料 / 泛林资深工程师，美国名校博士 / 硕士。
技术互补：姜谦（PECVD）+ 吕光泉（ALD），覆盖 CVD 主流技术路线拓荆科技股份有限公司

石头哥 2026年05月26日 14:59 回复(1)

3、竞争优势（竞争格局/进入门槛/品牌/规模/网络/资源/切换成本）

拓荆科技在中国半导体设备领域，尤其是在薄膜沉积这个关键赛道上，已经确立了国产龙头的领先地位。它不仅是国产替代的先锋，更在技术层面实现了从追赶向并跑甚至局部引领的跨越。

市场占有率	在中国大陆薄膜沉积设备市场中占据约 12% 的份额。	在国内厂商中绝对领先，成功打破了该领域长期由国外巨头垄断的局面。
技术护城河	累计申请专利超 1600项，承担了11项国家重大专项。是国内唯一实现PECVD、SACVD设备产业化应用的厂商。	建立了深厚的技术壁垒，核心产品具有稀缺性和不可替代性。

石头哥 2025年10月27日 20:11 回复(1)

讨论

二、吕光泉（联合创始人、现任董事长，1965 年生）学历：美国加州大学圣地亚哥分校博士。核心履历： 1994–2007：美国科学基金会副研究员 → 美国诺发（PECVD 工艺研发经理、ALD 技术高级经理）。 2007–2014：德国爱思强（Aixtron）美国 SSTS 部，工程技术副总裁（ALD 设备研发）。 2014.9：加入拓荆，任技术总监、总经理 → 2021 年至今任董事长。关键贡献：主导ALD、SACVD设备研发与产业化，补齐拓荆薄膜沉积全品类能力。
石头哥 2026年05月26日 14:58 回复(0)

一、姜谦（创始人、前董事长，1952 年生）学历：美国布兰迪斯大学物理学博士。核心履历： 1982–2005：麻省理工学院（MIT）研究员 → 英特尔 19 年（研发部负责人） → 美国诺发（Novellus）技术副总裁（PECVD/ALD 核心研发，50 + 专利，多项成行业标准）。 2006：回国，任沈阳欣欣科技执行董事，承接国家 “02 专项”。 2010.4：创立拓荆科技，任总经理、董事长；主导 ** 首台国产 12 寸 PECVD（90–65nm）** 研发，填补国内空白。 2024.1：卸任董事长，留任核心技术人员。关键贡献：PECVD 国产化第一人，带队突破 90/65/28nm 制程，打入中芯国际、长江存储。
石头哥 2026年05月26日 14:58 回复(0)

对比维度拓荆科技（中国领先）世界最先进水平（应用材料、泛林、TEL）差距分析技术节点与工艺能力成熟制程领先：28nm及以上制程工艺已成熟量产，14nm设备在客户验证中。可支持100多种介质薄膜工艺。定义先进制程：设备普遍应用于5nm、3nm及更先进制程，支撑GAAFET、CFET等最新晶体管结构。存在代际差。在支撑最先进逻辑和存储芯片（如200层以上3D NAND）量产方面仍需追赶。全球市场份额国内龙头：在中国大陆薄膜沉积设备市场占比约12% 。全球垄断：三大国际巨头合计占据全球90%以上市场份额，主导地位稳固。市场地位从“国内主导”到“全球垄断”的差距，品牌认可度和全球供应链渗透不足。
石头哥 2025年11月03日 17:51 回复(0)

从裸硅片开始、主要经过沉积氧化层（保护硅片）→涂胶（涂光刻胶）→曝光（按照模型光刻出图形）→显影（冲洗不需要的部分光刻胶，显现出电路图）→刻蚀（去除氧化层，保留电路图）→掺杂（改变电气属性）→薄膜沉积（根据要制造的半导体器件沉积金属、陶瓷等材料）→互连→测试→封装。期间经历不断重复的清洗、烘干、退火等工序，每一道都在创造微世界。
石头哥 2025年10月27日 22:27 回复(0)

CVD是指通过气态物质的化学反应，在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。它几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如二氧化硅、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等，适用范围广、台阶覆盖性好。PVD主要包括蒸发和溅射,通常用于淀积芯片中的电极和金属互联层。
石头哥 2025年10月27日 22:25 回复(0)

国产PVD龙头是北方华创，中微公司的MOCVD设备份额全球前三，拓荆科技则引领PECVD国产化，公司半导体薄膜沉积设备技术指标已达到国际厂商设备水准。拓荆科技：国内半导体薄膜沉积设备头部厂商，产品包括PECVD设备、ALD设备及SACVD设备三个系列。
石头哥 2023年04月15日 23:22 回复(0)

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